Компания Sharp объявила о достижении рекордного показателя эффективности фотогальванического элемента — 36,9%.

Прежний рекорд также принадлежал Sharp. Показатель, равный 35,8% был получен в 2009 году. Новое достижение подтвердили специалисты института AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology).

Площадь элемента примерно равна 1 кв. см. Для повышения эффективности в нем используется сложная многослойная структура с тремя p-n-переходами. Каждый из слоев служит для преобразования в электрический ток светового излучения определенного поддиапазона. Верхний слой изготовлен из фосфида индия-галлия (InGaP), средний — из арсенида галлия (GaAs), нижний — из арсенида индия-галлия (InGaAs).

По сути, новый элемент является улучшенной версией элемента, установившего рекорд в 2009 году. Повысить эффективность удалось за счет уменьшения сопротивления компонентов в тоннельных переходах, связывающих верхний слой со средним и средний — с нижним. Подробности разработки компания хранит в секрете.

Кроме того, с 85,3% до 87,5% удалось увеличить коэффициент заполнения — величину, характеризующая, насколько эффективно используется поверхность элемента.

На 2013 год намечено тестирование нового фотогальванического элемента в космосе. Sharp планирует коммерциализацию разработки в 2014 или 2015 году, рассчитывая к тому времени снизить затраты на изготовление многослойных элементов.